射频导纳物位开关的接线方式是什么？
FB8051系列为通用型连续物位仪表，适用于大多数场合。仪表由一电路单元和杆式或缆式传感元件组成，传感器可选多种材质，可整体或分体式安装。用于连续测量。 ★ 工作原理 射频导纳物位控制技术是一种从电容式物位控制技术发展起来的，防挂料、更可靠、更准确、适用性更广的物位控制技术，“射频导纳”中“导纳”的含义为电学中阻抗的倒数，它由阻性成分、容性成分、感性成分综合而成，而“射频”即高频，所以射频导纳技术可以理解为用高频测量导纳。高频正弦振荡器输出一个稳定的测量信号源，利用电桥原理，以测量安装在待测容器中的传感器上的导纳，在直接作用模式下，仪表的输出随物位的升高而增加。 射频导纳技术与传统电容技术
射频开关属于集成电路_射频开关器件
射频开关属于集成电路_射频开关器件
射频开关属于集成电路_射频开关器件
FB8051系列为通用型连续物位仪表，适用于大多数场合。仪表由一电路单元和杆式或缆式传感元件组成，传感器可选多种材质，可整体或分体式安装。用于连续测量。 ★ 工作原理 射频导纳物位控制技术是一种从电容式物位控制技术发展起来的，防挂料、更可靠、更准确、适用性更广的物位控制技术，“射频导纳”中“导纳”的含义为电学中阻抗的倒数，它由阻性成分、容性成分、感性成分综合而成，而“射频”即高频，所以射频导纳技术可以理解为用高频测量导纳。高频正弦振荡器输出一个稳定的测量信号源，利用电桥原理，以测量安装在待测容器中的传感器上的导纳，在直接作用模式下，仪表的输出随物位的升高而增加。 射频导纳技术与传统电容技术
射频导纳液位开关的主要接线方式有两种，分别是两线制与四线制，具体使用哪种接线方式，取决于设备的型号，工况条件，以及行业环境属性等。
FB8051系列为通用型连续物位仪表，适用于大多数场合。仪表由一电路单元和杆式或缆式传感元件组成，传感器可选多种材质，可整体或分体式安装。用于连续测量。 ★ 工作原理 射频导纳物位控制技术是一种从电容式物位控制技术发展起来的，防挂料、更可靠、更准确、适用性更广的物位控制技术，“射频导纳”中“导纳”的含义为电学中阻抗的倒数，它由阻性成分、容性成分、感性成分综合而成，而“射频”即高频，所以射频导纳技术可以理解为用高频测量导纳。高频正弦振荡器输出一个稳定的测量信号源，利用电桥原理，以测量安装在待测容器中的传感器上的导纳，在直接作用模式下，仪表的输出随物位的升高而增加。 射频导纳技术与传统电容技术
FB8051系列为通用型连续物位仪表，适用于大多数场合。仪表由一电路单元和杆式或缆式传感元件组成，传感器可选多种材质，可整体或分体式安装。用于连续测量。 ★ 工作原理 射频导纳物位控制技术是一种从电容式物位控制技术发展起来的，防挂料、更可靠、更准确、适用性更广的物位控制技术，“射频导纳”中“导纳”的含义为电学中阻抗的倒数，它由阻性成分、容性成分、感性成分综合而成，而“射频”即高频，所以射频导纳技术可以理解为用高频测量导纳。高频正弦振荡器输出一个稳定的测量信号源，利用电桥原理，以测量安装在待测容器中的传感器上的导纳，在直接作用模式下，仪表的输出随物位的升高而增加。 射频导纳技术与传统电容技术
FB8051系列为通用型连续物位仪表，适用于大多数场合。仪表由一电路单元和杆式或缆式传感元件组成，传感器可选多种材质，可整体或分体式安装。用于连续测量。 ★ 工作原理 射频导纳物位控制技术是一种从电容式物位控制技术发展起来的，防挂料、更可靠、更准确、适用性更广的物位控制技术，“射频导纳”中“导纳”的含义为电学中阻抗的倒数，它由阻性成分、容性成分、感性成分综合而成，而“射频”即高频，所以射频导纳技术可以理解为用高频测量导纳。高频正弦振荡器输出一个稳定的测量信号源，利用电桥原理，以测量安装在待测容器中的传感器上的导纳，在直接作用模式下，仪表的输出随物位的升高而增加。 射频导纳技术与传统电容技术
FB8051系列为通用型连续物位仪表，适用于大多数场合。仪表由一电路单元和杆式或缆式传感元件组成，传感器可选多种材质，可整体或分体式安装。用于连续测量。 ★ 工作原理 射频导纳物位控制技术是一种从电容式物位控制技术发展起来的，防挂料、更可靠、更准确、适用性更广的物位控制技术，“射频导纳”中“导纳”的含义为电学中阻抗的倒数，它由阻性成分、容性成分、感性成分综合而成，而“射频”即高频，所以射频导纳技术可以理解为用高频测量导纳。高频正弦振荡器输出一个稳定的测量信号源，利用电桥原理，以测量安装在待测容器中的传感器上的导纳，在直接作用模式下，仪表的输出随物位的升高而增加。 射频导纳技术与传统电容技术
FB8051系列为通用型连续物位仪表，适用于大多数场合。仪表由一电路单元和杆式或缆式传感元件组成，传感器可选多种材质，可整体或分体式安装。用于连续测量。 ★ 工作原理 射频导纳物位控制技术是一种从电容式物位控制技术发展起来的，防挂料、更可靠、更准确、适用性更广的物位控制技术，“射频导纳”中“导纳”的含义为电学中阻抗的倒数，它由阻性成分、容性成分、感性成分综合而成，而“射频”即高频，所以射频导纳技术可以理解为用高频测量导纳。高频正弦振荡器输出一个稳定的测量信号源，利用电桥原理，以测量安装在待测容器中的传感器上的导纳，在直接作用模式下，仪表的输出随物位的升高而增加。 射频导纳技术与传统电容技术
FB8051系列为通用型连续物位仪表，适用于大多数场合。仪表由一电路单元和杆式或缆式传感元件组成，传感器可选多种材质，可整体或分体式安装。用于连续测量。 ★ 工作原理 射频导纳物位控制技术是一种从电容式物位控制技术发展起来的，防挂料、更可靠、更准确、适用性更广的物位控制技术，“射频导纳”中“导纳”的含义为电学中阻抗的倒数，它由阻性成分、容性成分、感性成分综合而成，而“射频”即高频，所以射频导纳技术可以理解为用高频测量导纳。高频正弦振荡器输出一个稳定的测量信号源，利用电桥原理，以测量安装在待测容器中的传感器上的导纳，在直接作用模式下，仪表的输出随物位的升高而增加。 射频导纳技术与传统电容技术
射频开关芯片原理是什么
射频开关芯片原理
射频(RF)开关芯片是电子设备中常用的一种元器件，它可以控制射频信号在电路中的流动。它通常由一个晶体管和几个电容组成，能够在高频范围内快速开关。具体原理是，当晶体管的控制电压变化时，它的导通状态会发生变化，从而控制射频信号的流动。
电子产品有哪些类型？告诉我十大类型，比如数码产品，等
电子产品分类
◆陶瓷电容器：片式电容、中高压、安规电容、 可调电容、排容、高能电容；
◆正负温度系数热敏电阻、高精度可调电位器、高压电阻
◆片状电感线圈：高频电感、功率电感、天线线圈；
◆静噪元件/EMI静噪滤波器(EMIFIL)、片状磁珠、磁珠排、DC/AC用共模扼流线圈、军工用复合型静噪滤波器；
◆陶瓷振荡器 ( Resonators)：插脚 、贴片谐振器(KHz、MHz)、汽车用谐振器、声表振荡器； ◆通讯设备用滤波器、声表滤波器、射频滤波器、中频滤波器、鉴频器 、介质/天线/收发共用器、介质带通滤波器；
◆高频元件：高频用片状电容器、片状介质天线、介质谐振器、射频开关、同轴连接线；
◆高频组件(Microwe Modules)PLL组件；射频开关；微波振荡器VCO ，Bluetooth蓝牙模块； ◆电源 (Power Supplies)开关电源，高压电源，超薄型电源 ，C&D 电源模组；
◆传感器元件(Sensors)：陀螺仪，、冲击、旋转、磁性识别、热电型、温度等传感器
◆压电元件(Piezoelectric Sound Components)蜂鸣器，蜂鸣器振动板等。
消费类电子产品分类
消费类电子产品在不同发展水平的有不同的内涵，在同一的不同发展阶段有不同的内涵。
我国消费类电子产品是指用于个人和家庭与广播、电视有关的音频和视频产品，主要包括：电视机、影碟机（VCD、 SVCD、DVD）、录像机、摄录机、收音机、收录机、组合音响、电唱机、激光唱机（CD）等。而在一些发达，则把电话、个人电脑、家庭办公设备、家用电子保健设备、汽车电子产品等也归在消费类电子产品中。随着技术发展和新产品新应用的出现，数码相机、手机、PDA等产品也在成为新兴的消费类电子产品。从二十世纪九十年代后期开始，融合了计算机、信息与通信、消费类电子三大领域的信息家电开始广泛地深入家庭生活，它具有视听、信息处理、双向网络通讯等功能，由嵌入式处理器、相关支撑硬件（如显示卡、存储介质、IC卡或的读取设备）、嵌入式作系统以及应用层的软件包组成。广义上来说，信息家电包括所有能够通过网络系统交互信息的家电产品，如PC、机顶盒、HPC、DVD、超级VCD、数据通信设备、视频游戏设备、WEBTV等。
电视.电冰箱
电脑
电话
移动随身听
对讲机
洗衣机
空调
..............................................................
...............................................................
...........................................................
手机射频芯片是什么
问题一：手机的射频芯片和天线的区别是什么？ 射频芯片是一片集成电路，对射频信号进行放大，天线是吧信号发射出去，ant。
问题二：在手机中，基带芯片和射频芯片是什么关系？CPU和基带芯片是什么关系？ 射频芯片一般就是指进行射频信号收发的芯片，在手机中，和基带芯片近似等同，因为基带就是对信号进行收发、调制解调等作的芯片。
但至于某个功能是否在某个芯片里，就是不一定的事情了。有些手机CPU内，集成应用处理器、基带处理器、GPS等。而有些CPU只有应用处理器部分，需要再配合其它的专用WiFi、蜂窝基带芯片，才能实现通讯能力。
问题三：手机射频是什么意思 主要是指手机的基带芯片梗数字信号到手机的天线中间这一部分的处理。其中包括数字信号的调制、解调，射频信号的高功率高线性放大，射频信号的低噪声接收，信号的频分双工等
问题四：基带芯片与射频芯片有什么区别 在手机终端中，射频芯片负责射频收发、频率合成、功率放大；而基带芯片负责信号处理和协议处理.。简单的说，射频芯片就是起到一个发射机和接收机的作用。而基带芯片是整个手机的核心部分，就好比电脑的主机。
问题五：手机射频芯片被换会出现什么问题 你好，这个理论上可以，实际上你一换就得换掉其他的一些零件，还不如买新的。一般手机店也没这技术
问题六：射频芯片有哪些 你是想做芯片吗？常用芯片就是放大器，混频器，功分器，衰减器，滤波器，开关，VCO，倍恭器，分频器等
问题七：射频芯片是什么 你是想做芯片吗？常用芯片就是放大器，混频器，功分器，衰减器，滤波器，开关，VCO，倍频器，分频器等
问题八：如何检测高通手机的基带芯片和射频芯片型号 因为高通是cdma制式的提出者，开发者，推动者，拥有3,900多项CDMA及相关技术的专利和专利申请。全球逾130家电信设备制造商是从高通处获得CDMA专利许可才能经营cdma，电信每年要从cdma收入中叫4%给高通，高通就是cdma的山大王。95%的cdma是给高通垄断了，你不买高通的基带，就要给高通交专利费。
简单说，高通是cdma的路霸，你不买他的东西也一样要交钱。
问题九：高通的RTR WTR的射频芯片，RTR和WTR分别是什么的缩写啊？ RTR射频收发器，分别代表射频搐发射、接收
RTR收发器，分别代表、发射、接收
卓胜微 股吧
1.卓胜微（300782）股吧，是东方财富网设立的，专门为股友们讨论炒股心得，炒股感悟，交流各自的经验和教训的一个场所。股民朋友可以在这里畅所欲言，分析讨论股票名的动态。
2.江苏卓胜微电子股份有限公司成立于2012年8月10日，于2019年6月18日在深圳证券交易所创业板上市，股票简称：卓胜微，股票代码：300782。公司专注于射频集成电路领域的研究、开发与销售，主要向市场提供射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、射频功率放大器等射频前端分立器件及各类模组产品，同时公司还对外提供低功耗蓝牙微芯片。公司在无锡，、上海、苏州、深圳、成都、重庆、美国、韩国均有研发或销售中心，形成了高效的业务协同网络。
3.2021年以来，卓胜微的股价表现丝毫不惧市场震荡回调，年内累计上涨56%；上市两年以来，卓胜微的总市值累计上涨约32倍，妥妥的超级大牛股。卓胜微是A股市场的射频芯片设计龙头，主要专注于射频前端分立器件领域。在登陆资本市场之前，卓胜微就获得了知名风投机构红杉资本的投资。卓胜微以射频开关、LNA芯片起家，是全球第射频开关企业，并在2019年实现射频模组产品从无到有的突破。
4.半年报显示，今年上半年，卓胜微实现营业收入23.59亿元，同比增长136.48%，净利润10.14亿元，同比增长187.37%，扣除非经常性损益的净利润为9.94亿元，同比增长192.42%。分季度看，今年一二季度，公司实现的营业收入分别为11.83亿元、11.76亿元，同比增长162.37%、115.13%，二季度营业收入略有减少，增幅也有所降低。对应的净利润分别为4.92亿元、5.22亿元，同比增长224.34%、159.47%。扣非净利润为5.07亿元、4.87亿元，同比分别增长242.02%、154.09%。二季度净利润较一季度有小幅增加，但扣非净利润较一季度有所减少。整体而言，一二季度，公司实现的营业收入、净利润、扣非净利润同比均实现倍增。与一二季度相比，三季度业绩增速明显放缓。根据业绩预告，三季度，卓胜微实现的净利润为4.85亿元至5.21亿元，同比增长33%至43%。
什么是第三代半导体？包你能看懂
作者/朱公子
第三代半导体
我估摸着只要是炒股或者是关注二级市场的朋友们，这几天一定都没少听这词儿，如果不是大盘这几天实在是太惨了，估计炒作行情会比现在强势的多得多。
那到底这所谓的第三代半导体，到底是个什么玩意？值不值得炒？未来的逻辑在哪儿？
接下来，只要您能耐着性子好好看，我保证给它写的人人都能整明白，这可比你天天盯着大盘有意思的多了！
一、为什么称之为第三代半导体？
1、重点词
客官们就记住一个—— 材料 ，这就是前后三代半导体之间的区别。
2、每一代材料的简述
①代半导体材料： 主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。
兴起时间： 二十世纪五十年代。
代表材料： 硅（Si）、锗（Ge）元素半导体材料。
应用领域： 集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。
历史 意义： 代半导体材料引发了以集成电路（IC）为核心的微电子领域迅速发展。
对于代半导体材料，简单理解就是：最早用的是锗，后来又从锗变成了硅，并且几乎完全取代。
原因在于： ①硅的产量相对较多，具备成本优势。②技术开发更加完善。
但是，到了40纳米以下，锗的应用又出现了，因为锗硅通道可以让电子流速更快。现在用的锗硅在特殊的通道材料里会用到，将来会涉及到碳的应用，下文会详细讲解。
②第二代半导体材料： 以（GaAs）、锑化铟（InSb）为代表，是4G时代的大部分通信设备的材料。
兴起时间： 20世纪九十年代以来,随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以、锑化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。
代表材料： 如（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚等。
应用领域： 主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。
因信息高速公路和互联网的兴起，还被广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和 GPS 导航等领域。
性能升级： 以为例，相比于代半导体，具有高频、抗辐射、耐高温的特性。
总结： 第二代是使用复合物的。也就是复合半导体材料，我们生活中常用的是、磷化铟这一类材料，可以用在功放领域，早期它们的速度比较快。
但是因为砷含剧毒！所以现在很多地方都禁止使用，的应用还只是局限在高速的功放功率领域。而磷化铟则可以用来做发光器件，比如说LED里面都可以用到。
③第三代半导体材料： 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为四大代表，是5G时代的主要材料。
起源时间： M国早在1993年就已经研制出支氮化镓的材料和器件。而我国最早的研究队伍——科学院半导体研究所，在1995年也起步了该方面的研究。
重点： 市场上从半年前炒氮化镓的充电器时，市场的反应一直不够强烈，那是因为当时第三代半导体还没有被列入“十四五”这个层级的战略部署上，所以单凭氮化镓这一个概念，是不足以支撑整个市场逻辑的！
发展现状： 在5G通信、新能源 汽车 、光伏逆变器等应用需求的明确牵引下，目前，应用领域的头部企业已开始使用第三代半导体技术，也进一步提振了行业信心和坚定对第三代半导体技术路线的投资。
性能升级： 专业名词咱们就不赘述了，通俗的说，到了第三代半导体材料这儿，更好的化合物出现了，性能优势就在于耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能更强、工作速度更快、工作损耗更低。
有一点我觉得需要单独提一下：碳化硅与氮化镓相比较，碳化硅的发展更早一些，技术成熟度也更高一些；两者有一个很大的区别是热导率：在高功率应用中，碳化硅占据统治地位；氮化镓具有更高的电子迁移率，因而能够比碳化硅具有更高的开关速度，所以在高频率应用领域，氮化镓具备优势。
第三代半导体的应用
咱们重点说一说碳化硅 。碳化硅在民用领域应用非常广泛：其中电动 汽车 、消费电子、新能源、轨道交通等领域的直流、交流输变电、温度检测控制等。
咱先举两个典型的例子：
1.2015年，丰田 汽车 运用碳化硅MOSFET的凯美瑞试验车，逆变器开关损耗降低30%。
2.2016年，三菱电机在逆变器上用到了碳化硅，开发出了全世界最小马达。
而其他军用领域上，碳化硅更是广泛用于喷气发动机、坦克发动机、舰艇发动机、风洞、航天器外壳的温度、压力测试等。
为什么我说要重点说说碳化硅呢？因为半导体产业的基石正是 芯片 ，而碳化硅，正因为它优越的物理性能，一定是将来 最被广泛使用在制作半导体芯片上的基础材料 ！
①优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率。而且，碳化硅MOSFET将与硅基IGBT长期共存，他们更适合应用在高功率和高频高速领域。
②这里穿插了一个陌生词汇：“禁带宽度”，这到底是神马东西？
这玩意如果解释起来，又得引申出如“能带”、“导带”等一系列的概念，如果不是真的喜欢，我觉得大家也没必要非去研究这些，单说在第三代半导体行业板块中，能知道这一个词，您已经跑赢90%以上的小散了。
客观们就主要记住一个知识点吧： 对于第三代半导体材料，越高的禁带宽度越有优势 。
③主要形式：“衬底”。半导体芯片又分为：集成电路和分立器件。但不论是集成电路还是分立器件，其基本结构都可划分为“衬底 -外延-器件”结构，而碳化硅在半导体中存在的主要形式是作为衬底材料。
④生产工艺流程：
原料合成——晶体生长——晶锭加工——晶体切割——晶片研磨——晶片抛光——晶片检测——晶片清洗
总结：晶片尺寸越大，对应晶体的生长与加工技术难度越大，而下游器件的制造效率越高、单位成本越低。目前碳化硅晶片厂商主要提供4英寸至6英寸碳化硅晶片，CREE、II-VI等龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。
⑤应用方向：科普完知识、讲完生产制造，最终还是要看这玩意儿怎么用，俩个：功率器件、射频器件。
功率器件： 最重要的下游应用就是—— 新能源 汽车 ！
现有技术方案：每辆新能源 汽车 使用的功率器件价值约700美元到1000美元。随着新能源 汽车 的发展，对功率器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的增长点。
新能源 汽车 系统架构中，涉及到功率器件包括——电机驱动系统、车载充电系统（OBC）、电源转换系统（车载DC/DC）和非车载充电桩。碳化硅功率器件应用于电机驱动系统中的主逆变器。
另外还应用领域也包括——光伏发电、轨道交通、智能电网、风力发电、工业电源及航空航天等领域。
射频器件： 最重要的下游应用就是—— 5G基站 ！
微波射频器件，主要包括——射频开关、LNA、功率放大器、滤波器。5G基站则是射频器件的主要应用方向。
未来规模：5G时代的到来，将为射频器件带来新的增长动力！2025年全球射频器件市场将超过亿美元。目前我国在5G建设全球领先，这也是对岸金毛现在狗急跳墙的原因。
我国未来建设360万台-492万台5G宏基站，而这个规模是4G宏基站的1.1-1.5倍。当前我国已经建设的5G宏基站约为40万台，未来仍有非常大的成长空间。
半导体行业的核心
我相信很多客官一定有这样的疑问： 芯片、半导体、集成电路 ，有什么区别？
1.半导体：
从材料方面说 ，教科书上是这么描述的：Semiconductor，是常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的一类材料；
按功能结构区分， 半导体行业可分为：集成电路（核心）、分立器件、光电器件及传感器四大类。
2.集成电路（IC， integrated circuit）：
最经典的定义就是：将晶体管、二极管等等有源元件、电阻器、电容器等无源元件，按照一定的电路互联，“集成”在一块半导体单晶片上，从而完成特定的电路或者系统功能。
3.芯片：
半导体元件产品的统称 ，是指内含集成电路的硅片，是集成电路的载体，由晶圆分割而成。硅片是一块很小的硅，内含集成电路，它是计算机或者其他电子设备的一部分。
为什么说集成电路，是半导体行业的核心？ 那是因为集成电路的销售比重，基本保持在半导体销售额的80%。
比如，2018年全球4700亿美元的半导体销售额中，集成电路共计3900亿美元，占比达84%。
第三代半导体的未来方向
半导体业进入IDM模式是大势所趋，其长久可持续性我非常认可。但是讲到IDM，又有一堆非常容易混淆的概念，篇幅实在是太长了，咱们就不再拆分来讲了，你只要知道IDM最就完事了！
IDM： 直译：Integrated Design and Manufacture， 垂直整合制造 。
1.IDM企业： IDM商业模式，就是整合元件制造商模式。其厂商的经营范围涵盖了IC设计、IC制造、封装测试等各个环节，甚至也会延伸到下游电子终端。典型厂商：In、三星、TI（德州仪器）、东芝、ST（意法半导体）等。
2.IDM模式优势：
（1）IDM模式的企业，内部有资源整合优势，从IC设计到IC制造所需的时间较短。
（2）IDM企业利润比较高。根据“微笑曲线”原理，最前端的产品设计、开发与最末端的品牌、营销具有的利润率，中间的制造、封装测试环节利润率较低。
（3）IDM企业具有技术优势。大多数的IDM企业都有自己的IP（知识产权），技术开发能力比较强，具有技术领先优势。
3.IDM重要性
IDM的重要性是不需要用逻辑去判断的，全球集成电路市场的60%由IDM企业所掌握。比如三星电子、恩智浦、英飞凌、NXP等。
4.为什么要发展IDM模式？
IDM模式的优势： 产业链内部直接整合、具备规模效应、有效缩短新产品上市时间、并将利润点留在企业内部。
市场的自然选择： 此外，已成为全球的集成电路消费市场，并具有丰富的劳动力资源，对于发展自有品牌的IDM具有市场优势和成本优势。
现在，无论是被M国的封锁倒逼出来，还是我们自主的选择，我们都必须开拓出一条IDM发展之路！
现状： 目前国内现有的所谓IDM，其制造工艺水平和设计能力相当低，比较集中在功率半导体，产品应用面较窄，规模做不大。我知道，这些事实说出来挺让人沮丧的，但这就是事实。
但正因为我们目前处在相对落后的阶段，才更加需要埋头苦干、咬牙追赶，然后一举拿下！
本来写这篇文章的时候不想说股的，但还是提几只吧，也算是给咱们的半导体事业做一点点微小的贡献。
射频类相关优质标的：卓胜微、中天 科技 、和而泰、麦捷 科技 ；
IDM相关优质标的：中环股份、上海贝岭、长电 科技 。
