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刻蚀工艺主要分为哪几种类型 刻蚀工艺的作用

1、目前越来越多的微加工中材料多为硅、石英等，硬度高、不导电，性脆，导致普通的机械加工无能为力，只能采用光刻、超声波、激光等手段来加工，但成本最低、工艺简单、应力最小的还属腐蚀工艺。

2、刻蚀工艺；把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。

3、在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜（如铝及其合金）上去，制造出所需的薄层图案。

4、刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。

5、刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。

6、干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。

7、在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。

8、干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料。

9、干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。

10、而在湿法腐蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料。

11、湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下（大于3微米）。

12、湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。

13、基本工艺要求理想的刻蚀工艺必须具有以下特点：①各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。

14、这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形；②良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料；③加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用于工业生产。

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